提高非易失性存储器性能的方法

发明专利无效专利

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	提高非易失性存储器性能的方法
申请号	CN200910054545.X	申请日期	2009-07-09
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2011-01-12	公开/公告号	CN101944510A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/8247	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;7;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;3查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	沈忆华;宋化龙;潘见;王辛;史运泽
代理机构	北京德琦知识产权代理有限公司	代理人	牛峥;王丽琴

摘要

本发明公开了一种提高非易失性存储器性能的方法，在非易失性存储器中制造氧氮氧结构时，包括：在晶圆衬底上沉积得到二氧化硅表面层；在所述二氧化硅表面层上沉积形成氮化硅层；用原位蒸汽产生法产生正价氧离子，与所述氮化硅层反应形成氮氧化硅后，沉积得到高温氧化物层。本发明提供的方法提高了非易失性存储器的性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供