加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

提高连接孔特征尺寸均匀性的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200910196545.3
  • IPC分类号:H01L21/768
  • 申请日期:
    2009-09-27
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称提高连接孔特征尺寸均匀性的方法
申请号CN200910196545.3申请日期2009-09-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-04-27公开/公告号CN102034735A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人王新鹏;胡华勇;黄敬勇
代理机构北京德琦知识产权代理有限公司代理人牛峥;王丽琴
摘要
本发明公开一种提高连接孔特征尺寸均匀性的方法,应用于解决连接孔特征尺寸在晶圆中间区域大,边缘区域小的问题:在ILD上依次涂布ODL、底部抗反射层和光阻胶层,所述ODL的厚度从晶圆中间到边缘区域逐渐减薄;曝光显影图案化所述光阻胶层,以图案化的光阻胶层为掩膜,依次刻蚀所述底部抗反射层和ODL,至显露出下面的ILD;刻蚀ODL时采用氮气和氢气作为刻蚀气体,或者采用二氧化硫作为刻蚀气体;对ILD进行刻蚀形成连接孔,并去除所述光阻胶层、底部抗反射层和ODL。本发明还公开一种提高连接孔特征尺寸均匀性的方法,应用于解决连接孔特征尺寸在晶圆中间区域小,边缘区域大的问题。本发明大大提高了连接孔特征尺寸均匀性。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供