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一种场发射和场电离测量装置

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201120162029.1
  • IPC分类号:G01R19/25
  • 申请日期:
    2011-05-20
  • 申请人:
    武汉大学
著录项信息
专利名称一种场发射和场电离测量装置
申请号CN201120162029.1申请日期2011-05-20
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01R19/25IPC分类号G;0;1;R;1;9;/;2;5查看分类表>
申请人武汉大学申请人地址
湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉大学当前权利人武汉大学
发明人张早娣;王泽松;付德君
代理机构武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人张火春;肖明洲
摘要
本实用新型公开了一种场发射和场电离测量装置,由真空腔、电极部分、低压电源、高压电源、数字电流表、数模转换器和计算机系统构成,电极部分由顺次垂直安装在真空腔中的发射极、栅极和收集极构成,三者之间分别用绝缘材料隔开;栅极、低压电源、数字电流表、发射极依次相连,收集极、高压电源、数字电流表、发射极依次相连,数字电流表与计算机系统相连,低压电源、高压电源分别通过数模转换器与计算机系统相连。本实用新型装置采用计算机控制、在同一真空腔内实现了场发射和场电离过程的自动扫描测试,方便快捷,且提高了测试精度。

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