半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200810215916.3
IPC分类号：H01L29/78;H01L29/739;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/331
申请日期：
2008-09-09
申请人：
株式会社东芝

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著录项信息

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN200810215916.3	申请日期	2008-09-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2009-03-25	公开/公告号	CN101393934
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/78 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/76 单极器件〔2〕 H01L29/772 场效应晶体管〔6〕 H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;1查看分类表>
申请人	株式会社东芝	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社东芝	当前权利人	株式会社东芝
发明人	河野洋志;四户孝;太田千春;西尾让司
代理机构	北京市中咨律师事务所	代理人	陈海红;段承恩

摘要

本发明提供半导体器件及其制造方法，目的是在SiCMOSFET中减小沟道长度的不一致。本发明的半导体器件具备：设置在碳化硅基板上的第1导电类型的第1碳化硅层(2)；形成于第1碳化硅层(2)上的第2导电类型的第2碳化硅层(3)；在第2碳化硅层(3)的表面以预定的间隔相向地设置，具有同一浓度、同一深度的第1导电类型的第1和第2碳化硅区域(4、5)；贯通第1碳化硅区域(1)和第2碳化硅层(3)，到达第1碳化硅层的第3碳化硅区域(9)；在第1和第2碳化硅区域(4、5)上以及被第1和第2碳化硅区域夹着的第2碳化硅层(3)上连续地形成的栅绝缘膜(101)；以及形成于栅绝缘膜(101)上的栅电极(11)。

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