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一种氧化镓欧姆接触电极的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810532221.1
  • IPC分类号:H01L21/443;H01L29/45
  • 申请日期:
    2018-05-23
  • 申请人:
    大连理工大学
著录项信息
专利名称一种氧化镓欧姆接触电极的制备方法
申请号CN201810532221.1申请日期2018-05-23
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-08-28公开/公告号CN108461404A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/443IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;4;4;3;;;H;0;1;L;2;9;/;4;5查看分类表>
申请人大连理工大学申请人地址
辽宁省大连市甘井子区凌工路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人大连理工大学当前权利人大连理工大学
发明人夏晓川;梁红伟;张贺秋;柳阳
代理机构大连理工大学专利中心代理人温福雪;侯明远
摘要
本发明属于半导体器件欧姆接触电极制作技术领域,提供了一种氧化镓欧姆接触电极的制备方法,步骤如下:步骤1、在氧化镓层上依次预沉积镁层和金层,镁层的厚度为1nm~1mm,金层的厚度为1nm~1mm;步骤2、将上述样品进行热处理,热处理的条件如下:热处理温度为100℃~800℃;热处理时间为30s~3600s;热处理压强为1×10‑6Pa~1×106Pa;热处理气氛为真空或惰性气体;步骤3、温度降到室温后,取出,即为氧化镓欧姆接触电极。本发明创新在于设计了一种基于镁金合金的新型氧化镓欧姆接触电极,其制备工艺简单,对氧化镓材料无损伤,特别适用于研制电子浓度较低的氧化镓基器件。

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