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清洗掩模版的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810036661.4
IPC分类号：G03F1/00;B08B3/04
申请日期：
2008-04-25
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	清洗掩模版的方法
申请号	CN200810036661.4	申请日期	2008-04-25
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2009-10-28	公开/公告号	CN101566787
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F1/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F1/00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备〔3，2012.01〕	IPC分类号	G;0;3;F;1;/;0;0;;;B;0;8;B;3;/;0;4查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	刘戈炜;赵蓓
代理机构	上海翼胜专利商标事务所（普通合伙）	代理人	翟羽

摘要

一种清洗掩模版的方法，包括如下步骤：将掩模版置于含氧气氛中；激发气氛中的氧气形成臭氧，以使臭氧与掩模版的遮光层发生反应；加热超纯水；将掩模版置于超纯水中清洗。本发明的优点在于，经过在含氧气氛中氧化处理后的掩模版，在遮光层的表面形成了一层钝化物质，可以保证掩模版的遮光层在后续的清洗工艺中不会受到超纯水的影响。

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