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一种N型硅衬底背面接触式太阳电池

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201420217622.5
  • IPC分类号:H01L31/0216
  • 申请日期:
    2014-04-30
  • 申请人:
    山东力诺太阳能电力股份有限公司
著录项信息
专利名称一种N型硅衬底背面接触式太阳电池
申请号CN201420217622.5申请日期2014-04-30
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0216IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6查看分类表>
申请人山东力诺太阳能电力股份有限公司申请人地址
山东省济南市历城区经十东路30766号力诺科技园 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人山东力诺太阳能电力股份有限公司当前权利人山东力诺太阳能电力股份有限公司
发明人贾河顺;姜言森;方亮;刘兴村;任现坤;张春艳;马继磊
代理机构济南舜源专利事务所有限公司代理人于晓晓
摘要
本实用新型涉及一种N型硅衬底背面接触式太阳电池。N型硅衬底受光面设置有一层以上减反射层的叠层结构;N型硅衬底背光面为相互交替的N型层部分与P型层部分,N型层部分依次为N型硅衬底、减反射层,以及穿透减反射层与N型硅衬底接触的电极;P型层部分依次为N型硅衬底、P型晶硅层、减反射层,以及穿透减反射层与P型晶硅层连接的电极。本实用新型可以兼容传统晶硅生产线,可以经过升级改造实现背接触太阳电池的生产,相对于传统晶硅太阳电池,避免常规太阳电池正面电极遮光的问题,降低金属电极的使用量,提高了太阳电池的效率;并且相对于传统HIT电池、IBC太阳电池,不但制备工艺简单,设备成本也很低。

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