加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

制造具有凹陷栅极的半导体器件的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710181598.9
  • IPC分类号:H01L21/3065
  • 申请日期:
    2007-10-29
  • 申请人:
    海力士半导体有限公司
著录项信息
专利名称制造具有凹陷栅极的半导体器件的方法
申请号CN200710181598.9申请日期2007-10-29
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-05-07公开/公告号CN101174563
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/3065
?
IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;5查看分类表>
申请人海力士半导体有限公司申请人地址
韩国京畿道利川市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人海力士半导体有限公司当前权利人海力士半导体有限公司
发明人赵瑢泰;金锡基;曹祥薰
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人刘继富;顾晋伟
摘要
一种制造半导体器件的方法,包括:在衬底上形成硬掩模图案,利用硬掩模图案作为蚀刻阻挡物,在所述衬底内形成第一凹陷并在所述第一凹陷的侧壁上形成钝化层,和通过利用钝化层作为蚀刻阻挡物,蚀刻所述第一凹陷的底部以形成第二凹陷,其中第二凹陷的宽度大于第一凹陷的宽度。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供