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单晶金刚石生长用基材及单晶金刚石基板的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010226112.0
IPC分类号：C30B29/04;C30B25/18;C30B29/06;C23C14/08;C23C14/30;C23C14/14;C23C14/34
申请日期：
2010-07-06
申请人：
信越化学工业株式会社

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	单晶金刚石生长用基材及单晶金刚石基板的制造方法
申请号	CN201010226112.0	申请日期	2010-07-06
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-04-27	公开/公告号	CN102031561A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/02 元素〔3〕 C30B29/04 金刚石〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;0;4;;;C;3;0;B;2;5;/;1;8;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;C;2;3;C;1;4;/;0;8;;;C;2;3;C;1;4;/;3;0;;;C;2;3;C;1;4;/;1;4;;;C;2;3;C;1;4;/;3;4查看分类表>
申请人	信越化学工业株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	信越化学工业株式会社	当前权利人	信越化学工业株式会社
发明人	野口仁
代理机构	北京银龙知识产权代理有限公司	代理人	钟晶

摘要

本发明提供一种单晶金刚石生长用基材及单晶金刚石基板的制造方法，可以使面积大且结晶性良好的单晶金刚石生长，且可以便宜地制造高品质的单晶金刚石基板。所述单晶金刚石生长用基材是用于使单晶金刚石生长的基材，由单晶硅基板、在单晶硅基板的生长单晶金刚石的一侧异质外延生长的MgO膜、在MgO膜上异质外延生长的铱膜或铑膜组成。

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