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TFT阵列基板制作方法及TFT阵列基板

发明专利有效专利

申请号：
CN201680039400.0
IPC分类号：H01L27/12
申请日期：
2016-11-23
申请人：
深圳市柔宇科技有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	TFT阵列基板制作方法及TFT阵列基板
申请号	CN201680039400.0	申请日期	2016-11-23
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-05-01	公开/公告号	CN107980174A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/12 其衬底为非半导体的，例如为绝缘体的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;2查看分类表>
申请人	深圳市柔宇科技有限公司	申请人地址	广东省深圳市南山区科技园科苑路15号科兴科学园A4-1501 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市柔宇科技有限公司	当前权利人	深圳市柔宇科技有限公司
发明人	李文辉
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

一种TFT阵列基板及其制作方法，包括，在基板(10)上依次形成栅极(11)、绝缘层(12)及氧化物导体层(13)；其中氧化物层正投影于该栅极；在该氧化物导体层上依次形成蚀刻阻挡层(14)及第二金属层(15)；图案化该第二金属层形成沟道(151)；对与该沟道相对位置的氧化物导体层区域处理，形成半导体沟道。

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