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一种阳极氧化法制备介孔纳米片钨化碳薄膜的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810856014.1
  • IPC分类号:C25D11/26;C23C8/06;B82Y40/00
  • 申请日期:
    2018-07-31
  • 申请人:
    浙江工业大学
著录项信息
专利名称一种阳极氧化法制备介孔纳米片钨化碳薄膜的方法
申请号CN201810856014.1申请日期2018-07-31
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-12-04公开/公告号CN108930056A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C25D11/26IPC分类号C;2;5;D;1;1;/;2;6;;;C;2;3;C;8;/;0;6;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人浙江工业大学申请人地址
浙江省杭州市下城区潮王路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江工业大学当前权利人浙江工业大学
发明人李国华;李玉儒;张凯;王可葳;周浩;马超胜;高静
代理机构浙江千克知识产权代理有限公司代理人冷红梅
摘要
本发明涉及一种阳极氧化法制备介孔纳米片钨化碳薄膜的方法,该方法以金属钨片为衬底,盐酸水溶液为电解液,采用阳极氧化法,首先得到一种由纳米片构成的三氧化钨薄膜,进一步在甲烷和氢气的混合气氛下还原碳化得到一种介孔纳米片构成的碳化钨薄膜。本发明方法制得的介孔纳米片碳化钨薄膜形貌均一,结构完整,有明显的介孔结构;此外,本发明碳化钨薄膜膜层较厚对金属钨利用率高,与金属钨衬底结合牢固,不易脱离;并且,本发明方法工艺简单,制备重复性高,对设备要求低,且所涉及化学品廉价易得,在工业应用方面有很大的前景。

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