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一种新型的含氟窄带隙共轭聚合物材料的制备

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210162497.8
  • IPC分类号:C08G61/12;H01L51/46
  • 申请日期:
    2012-05-24
  • 申请人:
    李翠红;薄志山;杜春
著录项信息
专利名称一种新型的含氟窄带隙共轭聚合物材料的制备
申请号CN201210162497.8申请日期2012-05-24
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2013-12-04公开/公告号CN103421166A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C08G61/12IPC分类号C;0;8;G;6;1;/;1;2;;;H;0;1;L;5;1;/;4;6查看分类表>
申请人李翠红;薄志山;杜春申请人地址
北京市北京师范大学国家示范科技园高分子楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人李翠红,薄志山,杜春当前权利人李翠红,薄志山,杜春
发明人李翠红;薄志山;杜春
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开了一种新型的含氟窄带隙共轭聚合物材料的制备的制备方法与应用。本发明含氟窄带隙共轭聚合物,结构如式I所示。其中n为大于等于4的整数。目前,具有给受体交替结构主链的共轭聚合物是当前研究的重点,含氟有机共轭聚合物往往具有优异的热稳定性和氧化稳定性,耐腐蚀性,氟化物基底疏水疏油性以及氟化芳香环的电子密度分布翻转的性能。氟取代的共轭聚合物在有机场效应管和有机发光二级管中的应用已经有了一些研究。但是,在光伏材料的应用中,尤其是作为P型半导体,氟取代的材料还比较少见。

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