PbS量子点Si-APD红外探测器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910669611.8
IPC分类号：H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/107;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00
申请日期：
2019-07-24
申请人：
中国科学院重庆绿色智能技术研究院

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著录项信息

专利名称	PbS量子点Si-APD红外探测器及其制备方法
申请号	CN201910669611.8	申请日期	2019-07-24
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-10-18	公开/公告号	CN110350045A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0352 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/0248 以其半导体本体为特征的〔5〕 H01L31/0352 以其形状或以多个半导体区域的形状、相关尺寸或配置为特征的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;0;7;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院重庆绿色智能技术研究院	申请人地址	重庆市北碚区方正大道266号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院重庆绿色智能技术研究院	当前权利人	中国科学院重庆绿色智能技术研究院
发明人	陆文强;张昆;付勰;康帅;冯双龙
代理机构	北京申翔知识产权代理有限公司	代理人	艾晶

摘要

本发明提出一种PbS量子点Si‑APD红外探测器及其制备方法，所述探测器包括本征Si衬底(1)、减反膜区(4)、N+掺杂区(3)、P掺杂区(2)、P+掺杂区(6)、PbS量子点层(7)、上电极(5)和下电极(8)，减反膜区(4)位于本征Si衬底(1)正上方、N+掺杂区(3)位于反射区(4)下方、P掺杂区(2)位于N+掺杂区(3)下方、P+掺杂区(6)位于本征Si衬底(1)下方、PbS量子点层(7)位于P+掺杂区(6)下方、上电极(5)位于反射区(4)上表面，以及下电极(8)位于PbS量子点层(6)下表面。本发明以PbS量子点层作为吸收层，采用纯电子注入的方式，使得本发明能够吸收近红外波段光波，具有光谱响应宽，响应度高，过噪声小，成本低，易于加工等优点。

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