一种制备金属性金属氮化物薄膜的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200810226687.5
IPC分类号：H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/336
申请日期：
2008-11-19
申请人：
中国科学院微电子研究所

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专利名称	一种制备金属性金属氮化物薄膜的方法
申请号	CN200810226687.5	申请日期	2008-11-19
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2010-06-16	公开/公告号	CN101740369A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/28 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/28 用H01L 21/20至H01L 21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;0;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	广东省广州市黄浦区开源大道136号A栋601 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	澳芯集成电路技术（广东）有限公司	当前权利人	澳芯集成电路技术（广东）有限公司
发明人	陈世杰;王文武
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	周国城

摘要

本发明公开了一种制备金属性金属氮化物薄膜的方法，该方法包括：采用化学方法制备绝缘性金属氮化物薄膜；用Ar离子轰击该绝缘性金属氮化物薄膜表面，减小该绝缘性金属氮化物薄膜中氮元素的含量，将该绝缘性金属氮化物薄膜转变为金属性金属氮化物薄膜。利用本发明，可以有效地调节某些金属氮化物薄膜的原子组分，进而改性该薄膜的物理及电学特性，这使得利用化学合成方法制备金属氮化物栅电极的应用成为可能。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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