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非易失性存储器件和存储器系统及管理、擦除和编程方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310291074.0
IPC分类号：G11C16/10;G11C16/14
申请日期：
2013-07-11
申请人：
三星电子株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	非易失性存储器件和存储器系统及管理、擦除和编程方法
申请号	CN201310291074.0	申请日期	2013-07-11
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-01-29	公开/公告号	CN103544993A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/10 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/10 编程或数据输入电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;1;0;;;G;1;1;C;1;6;/;1;4查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	吴银珠;金钟河;孔骏镇
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	邵亚丽

摘要

一种非易失性存储器件的擦除方法包括设置擦除模式，以及根据设置的擦除模式执行正常擦除操作和快速擦除操作之一。正常擦除操作被执行以便将存储单元的阈值电压设置为低于第一擦除验证电平的擦除状态。快速擦除操作被执行以便将存储单元的阈值电压设置为低于第二擦除验证电平的伪擦除状态。第二擦除验证电平高于第一擦除验证电平。

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