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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

半导体装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410482814.3
  • IPC分类号:H01L29/78
  • 申请日期:
    2014-09-19
  • 申请人:
    三垦电气株式会社
著录项信息
专利名称半导体装置
申请号CN201410482814.3申请日期2014-09-19
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-03-25公开/公告号CN104465769A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人三垦电气株式会社申请人地址
日本埼玉县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三垦电气株式会社当前权利人三垦电气株式会社
发明人川尻智司;鸟居克行
代理机构北京三友知识产权代理有限公司代理人李辉;蔡丽娜
摘要
提供一种半导体装置,其为沟槽栅型的半导体装置,能够低价制造且反馈电容被减小。半导体装置具备:层叠有第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域以及第四半导体区域的半导体基板;绝缘膜,其配置在从第四半导体区域上表面延伸并贯通第四半导体区域和第三半导体区域而到达第二半导体区域的槽的内壁上;控制电极,其在槽的侧面与第三半导体区域的侧面对置配置在绝缘膜上;第一主电极,其与第一半导体区域电连接;第二主电极,其与第三半导体区域和第四半导体区域电连接;底面电极,其与第二主电极电连接,在俯视观察时,槽的延伸方向的长度在槽的宽度以上,而且,槽的宽度比相邻的槽之间的间隔宽。

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