散热型封装结构及其制法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610100530.9
IPC分类号：H01L21/50;H01L23/36;H01L23/31
申请日期：
2006-07-03
申请人：
矽品精密工业股份有限公司

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著录项信息

专利名称	散热型封装结构及其制法
申请号	CN200610100530.9	申请日期	2006-07-03
法律状态	放弃专利权	申报国家	中国
公开/公告日	2008-01-09	公开/公告号	CN101101880
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1查看分类表>
申请人	矽品精密工业股份有限公司	申请人地址	中国台湾台中县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	矽品精密工业股份有限公司	当前权利人	矽品精密工业股份有限公司
发明人	黄建屏;普翰屏;蔡和易
代理机构	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人	程伟;王锦阳

摘要

一种散热型封装结构及其制法，是将半导体芯片接着并电性连接至芯片承载件，且于该半导体芯片上形成有一介面层或一附有介面层的第二散热件，再于该芯片承载件上接置一具散热部及支撑部的第一散热件，且该散热部形成有对应于半导体芯片的开孔，接着形成一用以包覆该半导体芯片、介面层或附有介面层的第二散热件、及该第一散热件的封装胶体，其中该封装胶体与该介面层顶面得保有一间隔高度以形成覆盖该介面层的封装胶体，藉以避免现有封装模具抵压于半导体芯片所产生的压损及溢胶问题，接着沿该介面层边缘进行切割该封装胶体，之后再移除该介面层上多余的封装胶体，以供半导体芯片进行散热，藉以避免现有切割刀具直接切割散热件所产生的毛边问题与刀具耗损问题，进而得以降低切割成本。

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