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应力层集成及其方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200780014258.5
  • IPC分类号:H01L21/8238
  • 申请日期:
    2007-03-07
  • 申请人:
    飞思卡尔半导体公司
著录项信息
专利名称应力层集成及其方法
申请号CN200780014258.5申请日期2007-03-07
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2009-05-06公开/公告号CN101427364
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/8238
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;8查看分类表>
申请人飞思卡尔半导体公司申请人地址
美国得克萨斯 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人飞思卡尔半导体公司当前权利人飞思卡尔半导体公司
发明人保罗·A·格吕多斯基;达尔恩·V·格德克;约翰·J·哈肯贝格
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司代理人刘光明;穆德骏
摘要
提供了一种制造半导体器件的方法,根据该方法,提供衬底(203),在该衬底(203)之上具有第一栅极结构(205)和第二栅极结构(207)。在所述衬底之上形成第一应力层(215),并且在所述第一应力层之上形成牺牲层(216)。在所述牺牲层之上形成第二应力层(219)。

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