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IGBT芯片、其制造方法及功率模块

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911002701.8
  • IPC分类号:H01L29/06H01L29/739H01L49/02
  • 申请日期:
    2019-10-21
  • 申请人:
    珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
著录项信息
专利名称IGBT芯片、其制造方法及功率模块
申请号CN201911002701.8申请日期2019-10-21
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-05-07公开/公告号CN112768503A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H01L29/06;H01L29/739;H01L49/02查看分类表>
申请人珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司申请人地址
广东省珠海市前山金*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人珠海格力电器股份有限公司,珠海零边界集成电路有限公司当前权利人珠海格力电器股份有限公司,珠海零边界集成电路有限公司
发明人肖婷;史波;敖利波;曾丹;刘勇强
代理机构北京聿宏知识产权代理有限公司代理人吴大建;张杰
摘要
本公开提供一种IGBT芯片、其制造方法及功率模块。本公开的IGBT芯片包括:衬底层、设置于所述衬底层正面的若干IGBT元胞、设置于所述衬底层背面的集电极层,所述集电极层中设置有刻蚀槽;还包括热敏电阻,其设置于所述刻蚀槽内;还包括第一背面金属层,其设置于所述热敏电阻上,以与所述热敏电阻形成电连接。本公开在IGBT芯片的背面制程的同时完成热敏电阻的制造,将热敏电阻集成在IGBT芯片背面上,与IGBT芯片的集电极层位于同一平面,然后将热敏电阻背面金属层与集电极层背面金属层通过隔离槽隔开并单独引出热敏电阻引线,连接到外部控制电路上,这样就可以测试出IGBT芯片的真实温度,更好地保护IGBT芯片和保证功率模块的工作运行。

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