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一种非晶氧化铟钨靶材及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110469127.8
  • IPC分类号:C04B35/01;C04B35/622;C23C14/08;C23C14/24
  • 申请日期:
    2021-04-25
  • 申请人:
    先导薄膜材料(广东)有限公司
著录项信息
专利名称一种非晶氧化铟钨靶材及其制备方法
申请号CN202110469127.8申请日期2021-04-25
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-10公开/公告号CN113233872A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/01IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;0;1;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;C;2;3;C;1;4;/;0;8;;;C;2;3;C;1;4;/;2;4查看分类表>
申请人先导薄膜材料(广东)有限公司申请人地址
广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号A区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人先导薄膜材料(广东)有限公司当前权利人先导薄膜材料(广东)有限公司
发明人刘文杰;钟小华;童培云;朱刘
代理机构广州三环专利商标代理有限公司代理人颜希文
摘要
本发明公开了一种非晶氧化铟钨靶材及其制备方法,涉及非晶氧化物半导体技术领域。本发明所述非晶氧化铟钨靶材的制备方法包括如下步骤:(1)制备氧化铟、三氧化钨细混料;(2)取部分细混料造粒,制备粗混料;(3)分别烧结细混料和粗混料;(4)对烧结后的细混料进行球磨,然后将其与烧结后的粗混料混合,加水,静置;(5)将静置后的物料压制成坯体;(6)烧结坯体,得到所述非晶氧化铟钨靶材。本发明以上述方法制备非晶氧化铟钨靶材,未使用其他添加剂,工艺更环保,并且靶材在蒸镀过程中不开裂或连续喷溅。

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