一种磁控溅射装置及磁控溅射系统

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201621197024.1
IPC分类号：C23C14/35;C23C14/54
申请日期：
2016-11-04
申请人：
广汉川冶新材料有限责任公司

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专利名称	一种磁控溅射装置及磁控溅射系统
申请号	CN201621197024.1	申请日期	2016-11-04
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/35 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕 C23C14/35 利用磁场的，例如磁控溅射〔5〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;5;4查看分类表>
申请人	广汉川冶新材料有限责任公司	申请人地址	四川省德阳市广汉市新丰镇古城村九社变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广汉川冶新材料有限责任公司	当前权利人	广汉川冶新材料有限责任公司
发明人	徐兴;李泽宇;周媛;魏志英
代理机构	北京超凡志成知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	李佳

摘要

本实用新型提供了一种磁控溅射装置及磁控溅射系统，属于半导体制备领域。该磁控溅射装置包括壳体，壳体内设置有磁靶、靶材组件、用于安装基材的炉盘和用于调整靶材组件与基材之间的磁场强度的缓冲组件。磁靶固定于壳体的内壁并用于提供磁场，炉盘设置于壳体的内壁并用于安装基材，靶材组件设置于磁靶并与炉盘相对设置。缓冲组件设置于靶材组件和磁靶之间，缓冲组件包括驱动装置和至少两个依次叠放的调整板，每个调整板通过驱动装置移入或移出工作区域。这种磁控溅射装置和磁控溅射系统，能够通过缓冲组件有效的解决了现有的通过手动方式调节磁场强度的精度不高的问题，提高生产效率及半导体薄膜的质量。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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