一种基于HVPE工艺的GaN晶体转运托盘装置及转运方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010321799.X
IPC分类号：C30B25/12;C30B25/08;C30B29/40
申请日期：
2020-04-22
申请人：
中国工程物理研究院总体工程研究所

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专利名称	一种基于HVPE工艺的GaN晶体转运托盘装置及转运方法
申请号	CN202010321799.X	申请日期	2020-04-22
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2020-06-19	公开/公告号	CN111304741A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B25/12 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B25/00 反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长〔3〕 C30B25/02 外延层生长〔3〕 C30B25/12 衬底夹持器或基座〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;5;/;1;2;;;C;3;0;B;2;5;/;0;8;;;C;3;0;B;2;9;/;4;0查看分类表>
申请人	中国工程物理研究院总体工程研究所	申请人地址	四川省绵阳市绵山路64号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国工程物理研究院总体工程研究所	当前权利人	中国工程物理研究院总体工程研究所
发明人	鲁亮;胡宇鹏;王珏;周本权;刘伟;李明海;李思忠
代理机构	北京天奇智新知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种基于HVPE工艺的GaN晶体转运托盘装置及转运方法及转运方法，装置包括托盘、相变材料；托盘形成为中空结构；GaN晶体转运托盘装置中托盘采用了石墨材料制成，托盘内填充相变材料，托盘可以循环重复使用，利用GaN晶体生长环境吸热，在出炉区放热，充分利用了现有设备的环境，完成了现有技术中准备区的功能，简化了硬件，能耗、成本低；GaN晶体转运托盘装置的转运方法，包括密封工艺的设计；在填充过程中，增加了手套箱的操作，设计了抽负压的工艺流程环节，提高了装置的安全性能；将原有工艺中需要1h的工艺流程简化为约30min，大大提高了GaN晶体生长工艺的效率，提高了产能的同时，降低了成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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