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硅基板及其形成方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200480008005.3
  • IPC分类号:G02B6/12
  • 申请日期:
    2004-03-31
  • 申请人:
    浜松光子学株式会社;永田清一
著录项信息
专利名称硅基板及其形成方法
申请号CN200480008005.3申请日期2004-03-31
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2006-04-26公开/公告号CN1764855
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B6/12IPC分类号G;0;2;B;6;/;1;2查看分类表>
申请人浜松光子学株式会社;永田清一申请人地址
日本国静冈县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浜松光子学株式会社,永田清一当前权利人浜松光子学株式会社,永田清一
发明人永田清一
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司代理人龙淳
摘要
本发明涉及硅基板,硅基板1的结构是,在结晶质硅基板的至少一个主面2一侧形成有硅结晶的凹部,具有以被埋入该凹部的氧化硅该为主要成分的玻璃质区域3。另外,关于玻璃质区域3,其玻璃化转变温度Tg比纯粹的二氧化硅玻璃的玻璃化转变温度低、为900℃以下。通过成为这样的构成,能够实现玻璃与硅结晶之间的内部变形减少的硅基板及其形成方法。

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