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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

绝缘隔离半导体器件

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201521087032.6
  • IPC分类号:H01L29/06
  • 申请日期:
    2015-12-22
  • 申请人:
    杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司
著录项信息
专利名称绝缘隔离半导体器件
申请号CN201521087032.6申请日期2015-12-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司申请人地址
浙江省杭州市黄姑山路4号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人杭州士兰微电子股份有限公司,杭州士兰集成电路有限公司当前权利人杭州士兰微电子股份有限公司,杭州士兰集成电路有限公司
发明人张常军;季锋;王平;陈祖银
代理机构北京成创同维知识产权代理有限公司代理人蔡纯;张靖琳
摘要
公开了一种绝缘隔离半导体器件。所述绝缘隔离半导体器件包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底上的第一半导体层;位于所述第一半导体层上的第二半导体层;位于所述第二半导体层中的半导体岛;以及围绕所述半导体岛的底部和侧壁的第一绝缘隔离层,其中,所述第一绝缘隔离层包括由所述第一半导体层的一部分形成的在所述半导体岛的底部延伸的第一部分,以及由所述第二半导体层的一部分形成的在所述半导体岛的侧壁延伸的第二部分。所述绝缘隔离半导体器件无需使用SOI,从而可以降低制造成本。

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