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半导体装置及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200710088984.3
  • IPC分类号:H01L23/367;H01L21/50
  • 申请日期:
    2007-03-29
  • 申请人:
    三洋电机株式会社
著录项信息
专利名称半导体装置及其制造方法
申请号CN200710088984.3申请日期2007-03-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2007-10-03公开/公告号CN101047155
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/367IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;1;/;5;0查看分类表>
申请人三洋电机株式会社申请人地址
日本大阪府 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三洋电机株式会社当前权利人三洋电机株式会社
发明人吉见英章;梅本光雄;恩田和美;堀中和己
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人陶凤波
摘要
本发明提供一种半导体装置及其制造方法,其能提高散热性。半导体装置(10)包括:半导体基板(11)、搭载在半导体基板(11)上表面的散热器(17)及在半导体基板(11)下表面形成的配线(14)等。散热器(17)搭载在半导体基板(11)上表面,其平面大小与半导体基板(11)大体相同。另外,散热器(17)的厚度为500μm~2mm,也可以形成为比半导体基板(11)厚。通过由散热器(17)加强,半导体基板(11)可以变薄到例如50μm左右,因此,其结果可以使半导体装置(10)整体变薄。

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