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用于制造p型半导体结构的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710112585.6
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2007-06-22
  • 申请人:
    晶能光电(江西)有限公司
著录项信息
专利名称用于制造p型半导体结构的方法
申请号CN200710112585.6申请日期2007-06-22
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-12-24公开/公告号CN101330118
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人晶能光电(江西)有限公司申请人地址
江西省南昌市南京东路235号南昌大学北区(材料科学研究所) 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人晶能光电(江西)有限公司当前权利人晶能光电(江西)有限公司
发明人江风益;王立;方文卿;莫春兰
代理机构北京市金杜律师事务所代理人王茂华
摘要
本发明的一个实施例提供了一种用于制造III-V族p型氮化物结构的方法。该方法包括在第一生长环境中生长具有第一受主浓度的第一层p型III-V族材料。该方法还包括在第二生长环境中在第一层的顶部上生长第二层p型III-V族材料,其比第一层厚并且其具有第二受主浓度。另外,该方法包括在第三生长环境中在第二层的顶部上生长第三层p型III-V族材料,其比第二层薄并且其具有第三受主浓度。

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