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一种用于激发少模光纤高阶模式的光栅耦合器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810088168.0
  • IPC分类号:G02B6/124;G02B6/14;G02B6/26;G02B6/293;G02B6/30
  • 申请日期:
    2018-01-27
  • 申请人:
    天津大学
著录项信息
专利名称一种用于激发少模光纤高阶模式的光栅耦合器
申请号CN201810088168.0申请日期2018-01-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-09-04公开/公告号CN108490539A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B6/124IPC分类号G;0;2;B;6;/;1;2;4;;;G;0;2;B;6;/;1;4;;;G;0;2;B;6;/;2;6;;;G;0;2;B;6;/;2;9;3;;;G;0;2;B;6;/;3;0查看分类表>
申请人天津大学申请人地址
天津市南开区卫津路92号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人天津大学当前权利人天津大学
发明人张林;张猛
代理机构天津市北洋有限责任专利代理事务所代理人李丽萍
摘要
本发明公开了一种用于激发少模光纤高阶模式的光栅耦合器,包括SOI基底,SOI基底的上面是波导芯层,波导芯层具有多个刻槽,按照光栅耦合器能激发少模光纤中的LP11a模式、LP11b模式和LP21b模式,刻槽的布局是沿着光传播方向将多个刻槽分为距离为D1的两组或是沿着波导芯层上表面垂直于光传播方向将多个刻槽按照左右两侧分为距离为D2的两组或是综合上述两种刻槽的分布,其中D1和D2均使得光栅耦合器衍射出来的光场的相位差为π。本发明光栅耦合器用于实现激发少模光纤中的LP11a模式、LP11b模式和LP21b模式,在刻槽形成过程中只需要进行一次电子束刻蚀即可实现,大大减少了加工的复杂性,易于加工制造。

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