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一种掺杂氧离子的高熵陶瓷及制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202211108014.6
  • IPC分类号:C04B35/56;C04B35/622;C04B35/645
  • 申请日期:
    2022-09-13
  • 申请人:
    燕山大学
著录项信息
专利名称一种掺杂氧离子的高熵陶瓷及制备方法
申请号CN202211108014.6申请日期2022-09-13
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2022-11-29公开/公告号CN115403385A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/56IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;5;6;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;C;0;4;B;3;5;/;6;4;5查看分类表>
申请人燕山大学申请人地址
河北省秦皇岛市河北大街西段438号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人燕山大学当前权利人燕山大学
发明人王明智;翟新宣;卢奎虎;赵玉成;邹芹;刘树通;宁泱锦
代理机构北京市诚辉律师事务所代理人范盈;姚幸茹
摘要
本发明提供了一种掺杂氧离子的高熵陶瓷及制备方法,属于新材料及高熵陶瓷制备技术领域。本发明通过机械合金化及烧结过程将TiO2与过渡族金属及其共价键化合物(包括碳化物、氮化物或碳氮化物)作为共同组元,使烧结后获得的过渡族金属共价键碳化物、氮化物高熵陶瓷块体材料(高熵陶瓷)的晶体结构中阴离子点位含有氧离子,获得的掺杂氧离子的非化学计量比高熵陶瓷具有面心立方的单相、单一晶体结构。这种在阴离子点位分布大量氧离子的耐辐射、耐腐蚀、高硬度强度的高熵陶瓷新材料,在催化、储能及特殊功能材料器件等方面有极大的应用空间。

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