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发光元件的制造方法及发光元件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200580013481.9
  • IPC分类号:H01L33/00;H01L21/308
  • 申请日期:
    2005-04-13
  • 申请人:
    信越半导体株式会社
著录项信息
专利名称发光元件的制造方法及发光元件
申请号CN200580013481.9申请日期2005-04-13
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2007-04-11公开/公告号CN1947270
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;8查看分类表>
申请人信越半导体株式会社申请人地址
日本国东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人信越半导体株式会社当前权利人信越半导体株式会社
发明人池田均;铃木金吾;中村秋夫
代理机构南京经纬专利商标代理有限公司代理人楼高潮
摘要
本发明的发光元件的制造方法,是将具有发光层部24(具有由AlGaInP所组成的双异质结构)、以及GaP光取出层20(以本身的第一主表面成为晶圆的第一主表面的形式设置于发光层部上)的发光元件晶圆,以GaP光取出层的第一主表面成为(100)面的方式来制造。其是通过面粗糙用蚀刻液,将由该(100)面所形成的GaP光取出层20的第一主表面进行蚀刻,而形成面粗糙突起部40f;该蚀刻液,是含有醋酸、氢氟酸、硝酸、碘与水合计量在90%以上,且醋酸、氢氟酸、硝酸与碘的总质量含有率较水的质量含有率为高。由此,本发明可提供一种发光元件的制造方法,其具有以(100)作为主表面的GaP光取出层,且可轻易地在该(100)主表面进行面粗糙处理。

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