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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN202022422950.7
  • IPC分类号:H01L29/739;H01L29/423;H01L21/331
  • 申请日期:
    2020-10-27
  • 申请人:
    上海菱芯半导体技术有限公司
著录项信息
专利名称平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管
申请号CN202022422950.7申请日期2020-10-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/739
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;1查看分类表>
申请人上海菱芯半导体技术有限公司申请人地址
上海市中国(上海)自由贸易试验区盛夏路560号902C-3室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海菱芯半导体技术有限公司当前权利人上海菱芯半导体技术有限公司
发明人周倩
代理机构扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙)代理人郭翔
摘要
平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管。本实用新型涉及一种栅控电压驱动型功率半导体器件,尤其涉及平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管。提供了一种不影响器件导通压降的前提下从而有效的减小米勒电容的平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管。本实用新型通过增加一张光罩结合氮元素注入工艺,实现在栅极下方部分区域(宽度5um~10um)形成厚度较厚(大于2000A)的栅氧层,从而有效的减小米勒电容。栅极下方其余区域仍为常规栅氧厚度(1200A),这部分区域刚好是电子电流和和空穴电流流经的途径。从而在不影响器件导通压降的前提下,仅降低器件米勒(Miller)电容。本实用新型具有不影响器件导通压降的前提下从而有效的减小米勒电容等特点。

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