电压倍增电路

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专利名称	电压倍增电路
申请号	CN200810082496.6	申请日期	2008-03-06
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2009-09-09	公开/公告号	CN101527160
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C7/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C7/00 数字存储器信息的写入或读出装置（G11C 5/00优先；用于采用半导体器件的存储器的辅助电路入G11C 11/4063，G11C 11/413，G11C 11/4193）〔2，5〕	IPC分类号	G;1;1;C;7;/;0;0;;;G;1;1;C;7;/;1;2查看分类表>
申请人	盛群半导体股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	盛群半导体股份有限公司	当前权利人	盛群半导体股份有限公司
发明人	赵文贤
代理机构	隆天国际知识产权代理有限公司	代理人	陈晨

摘要

本发明为一种电压倍增电路，其通过提供电压检测单元；振荡单元；反向单元；第一开关元件；第二开关元件；第三开关元件；第四开关元件以及第五开关元件，将参考电压升压成输出电压。如此，不需脉冲控制信号控制，而仅需一个开启关闭信号即可使电路在低电压操作时，正确且快速的读取导通存储器单元。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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