半导体结构以及形成半导体结构的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610159010.9
IPC分类号：H01L27/15;H01L33/44;H01L21/77
申请日期：
2016-03-18
申请人：
国际商业机器公司

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专利名称	半导体结构以及形成半导体结构的方法
申请号	CN201610159010.9	申请日期	2016-03-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-10-05	公开/公告号	CN105990391A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/15 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/15 包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;5;;;H;0;1;L;3;3;/;4;4;;;H;0;1;L;2;1;/;7;7查看分类表>
申请人	国际商业机器公司	申请人地址	美国纽约阿芒克变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	国际商业机器公司	当前权利人	国际商业机器公司
发明人	蔡劲;E·里欧班端;李宁;宁德雄;J-O·普卢查特;D·K·萨达纳
代理机构	北京市金杜律师事务所	代理人	酆迅

摘要

在形成延伸通过顶部半导体层以及隐埋绝缘体层并且延伸到绝缘体上半导体(SOI)衬底的处理衬底中的第一沟槽之后，在第一沟槽内形成电介质波导材料堆叠，该电介质波导材料堆叠包括下电介质包覆层、核心层以及上电介质包覆层。接下来，在顶部半导体层的剩余部分中形成至少一个横向双极结型晶体管(BJT)，其可以是PNPBJT、NPNBJT或者一对互补的PNPBJT和NPNBJT。在形成延伸通过电介质波导材料堆叠的第二沟槽以重新暴露第一沟槽的底部表面的一部分之后，在第二沟槽中形成激光二极管。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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