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具有高介电常数的高频介质材料及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200410018746.1
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    2004-03-16
  • 申请人:
    天津大学
著录项信息
专利名称具有高介电常数的高频介质材料及其制备方法
申请号CN200410018746.1申请日期2004-03-16
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2005-01-12公开/公告号CN1564268
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人天津大学申请人地址
天津市南开区卫津路92号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人天津大学当前权利人天津大学
发明人李玲霞;吴霞宛;陈长庆
代理机构天津市北洋有限责任专利代理事务所代理人张宏祥
摘要
本发明公开了一种具有高介电常数的高频介质材料及其制备方法。本发明的材料按重量百分比包括以下各组分:Ag2O3:36~45%;Nb2O5:35~43%;Ta2O5:12~20%;Bi2O3:0.5~4.0%;Sb2O5:1.5~5.5%。本发明的方法采用中温烧结工艺,在节能的同时有效的降低成本。本发明涉及的材料具有很高的介电常数及较低的损耗值,容量温度系数可以连续可调。

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