一种半导体器件及其制作方法、集成电路及电子设备

发明专利有效专利

申请号：
CN202010192339.1
IPC分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336
申请日期：
2020-03-18
申请人：
中国科学院微电子研究所

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著录项信息

专利名称	一种半导体器件及其制作方法、集成电路及电子设备
申请号	CN202010192339.1	申请日期	2020-03-18
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-07-28	公开/公告号	CN111463280A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/78 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/76 单极器件〔2〕 H01L29/772 场效应晶体管〔6〕 H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所	当前权利人	中国科学院微电子研究所
发明人	顾杰;吴振华;张亚东;殷华湘
代理机构	北京知迪知识产权代理有限公司	代理人	周娟

摘要

本发明公开一种半导体器件及其制作方法、集成电路及电子设备，涉及半导体技术领域，以抑制沟道漏电现象，提升半导体器件的性能。所述半导体器件包括衬底、堆叠结构和栅堆叠结构。堆叠结构形成在衬底表面。堆叠结构包括沿着远离衬底的方向层叠在衬底上的第一电极层、沟道层和第二电极层。沟道层包括沟道支撑部和沟道材料部。沟道材料部形成在沟道支撑部的外周。沟道支撑部的底端与第一电极层的顶端接触。沟道支撑部的顶端与第二电极层接触。沟道材料部分别与第一电极层和第二电极层接触。沟道支撑部为非导电部。栅堆叠结构环绕在沟道材料部的外周。所述半导体器件的制作方法用于制作半导体器件。本发明提供的半导体器件用于电子设备。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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