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射频磁控溅射对靶装置

实用新型无效专利
  • 申请号:
    CN98238805.5
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    1998-09-14
  • 申请人:
    中国科学院沈阳科学仪器研制中心
著录项信息
专利名称射频磁控溅射对靶装置
申请号CN98238805.5申请日期1998-09-14
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人中国科学院沈阳科学仪器研制中心申请人地址
辽宁省沈阳市和平区三好街*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院沈阳科学仪器研制中心当前权利人中国科学院沈阳科学仪器研制中心
发明人黄文符;张振厚
代理机构中国科学院沈阳专利事务所代理人朱光林
摘要
本装置属于一种镀膜装置,其结构是该镀膜装置为对称结构,上下两靶结构相同,每个靶的结构是外面为屏蔽层,中心为冷却水管,水管外为磁屏蔽层,磁屏蔽层外为靶体,靶体下面相对装有磁块,屏蔽层相对处形成开口,对靶中间的金属材料进行镀膜。优点:结构简单,因对靶对结构形式,溅射速率快,镀膜均匀质量好,适合对各种金属材料或非金属材料上的镀膜使用。

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