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具有平面触点的超级可缩放垂直MOS晶体管

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200680015504.4
  • IPC分类号:H01L29/94;H01L21/8238
  • 申请日期:
    2006-04-12
  • 申请人:
    爱特梅尔公司
著录项信息
专利名称具有平面触点的超级可缩放垂直MOS晶体管
申请号CN200680015504.4申请日期2006-04-12
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2008-04-30公开/公告号CN101171690
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/94
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;9;4;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;8查看分类表>
申请人爱特梅尔公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人爱特梅尔公司当前权利人爱特梅尔公司
发明人博胡米尔·洛耶克
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司代理人孟锐
摘要
形成在晶粒或芯片的衬底(11)中的漏极电极(17)上方的掺杂硅方块或岛具有对应于沟道(21、23、25)的所需长度的高度。源极电极(27)形成在所述硅岛上方,且实现从上方的接触(41)。也可从上方接触(43)L形控制栅极(33、35)和次表面漏极。为所构建的垂直晶体管形成针对源极、栅极和漏极的水平触点阵列。如果将纳米晶体(31)并入到所述栅极与所述沟道之间的层(29)中,那么可形成非易失性浮动栅极晶体管。在没有所述纳米晶体层的情况下,形成MOS或CMOS晶体管。

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