双掺镱钠离子钼酸锶激光晶体及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200710009975.0
IPC分类号：C30B29/32;C30B15/00;H01S3/16
申请日期：
2007-12-11
申请人：
中国科学院福建物质结构研究所

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专利名称	双掺镱钠离子钼酸锶激光晶体及其制备方法
申请号	CN200710009975.0	申请日期	2007-12-11
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-06-17	公开/公告号	CN101457398
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/32 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/16 氧化物〔3〕 C30B29/22 复合氧化物〔3〕 C30B29/32 钛酸盐；锗酸盐；钼酸盐；钨酸盐〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;2;;;C;3;0;B;1;5;/;0;0;;;H;0;1;S;3;/;1;6查看分类表>
申请人	中国科学院福建物质结构研究所	申请人地址	福建省福州市杨桥西路155号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院福建物质结构研究所	当前权利人	中国科学院福建物质结构研究所
发明人	王国富;庄任重;林州斌;张莉珍
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

双掺镱钠离子钼酸锶激光晶体及其制备方法，涉及人工晶体领域。采用提拉法，生长温度1200℃，10～30转/分钟的晶体转速，0.1～0.5毫米/小时的拉速，生长出了高光学质量、较大尺寸的Na+/Yb3+:SrMoO4晶体。该晶体属四方晶系，空间群为I4(1)/a，光谱分析表明，该晶体具有宽的吸收和发射线宽，适合于采用LD泵浦，可作为可调谐和飞秒脉冲激光晶体，产生1020nm左右波长的激光输出。

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