一种用于碳化硅晶体生长的碳化硅微粉的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310003974.0
IPC分类号：C01B31/36
申请日期：
2013-01-06
申请人：
保定科瑞晶体有限公司

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著录项信息

专利名称	一种用于碳化硅晶体生长的碳化硅微粉的制备方法
申请号	CN201310003974.0	申请日期	2013-01-06
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2013-04-24	公开/公告号	CN103058192A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B31/36 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B31/36 （转入C01B 32/956-C01B 32/991）	IPC分类号	C;0;1;B;3;1;/;3;6查看分类表>
申请人	保定科瑞晶体有限公司	申请人地址	北京市昌平区沙河镇北二村路庄桥西沙河工业城变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	河北同光晶体有限公司	当前权利人	河北同光晶体有限公司
发明人	高宇;陶莹;邓树军;段聪;赵梅玉
代理机构	北京轻创知识产权代理有限公司	代理人	杨立

摘要

本发明涉及一种用于碳化硅晶体生长的碳化硅微粉的制备方法，包括以下步骤：将碳粉和硅粉的均匀混合，得到混合物；再将所述混合物加入到加热室中，通过微波对所述混合物进行加热，即可得所述用于碳化硅晶体生长的碳化硅微粉。本发明采用微波加热，加热均匀，合成的碳化硅颗粒粒径均一性好，得到的产品不需要使用传统球磨机破碎，无二次沾污，保证产品纯度，同时单次合成量大，效率高。

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