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搭接电阻的测量

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510011252.9
  • IPC分类号:G01R27/08
  • 申请日期:
    2015-01-09
  • 申请人:
    法国大陆汽车公司;大陆汽车有限公司
著录项信息
专利名称搭接电阻的测量
申请号CN201510011252.9申请日期2015-01-09
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-07-15公开/公告号CN104777365A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01R27/08IPC分类号G;0;1;R;2;7;/;0;8查看分类表>
申请人法国大陆汽车公司;大陆汽车有限公司申请人地址
法国图卢兹 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人法国大陆汽车公司,大陆汽车有限公司当前权利人法国大陆汽车公司,大陆汽车有限公司
发明人A.帕斯夸莱托;J-M.坎坦
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人张凌苗;胡莉莉
摘要
本发明涉及搭接电阻的测量。一种用于确定包括四个晶体管(HS1、HS2、LS1、LS2)的H桥(2)的接触电阻(Rab、Rcd、Ref、Rgh)的方法,每个晶体管具有到两个邻近晶体管的连接的点(4、B、D、F、H),在每种情况中在位于两个晶体管之间的连接点与访问端子(8、A、C、E、G)之间产生搭接(6),其特征在于其包括以下步骤:作用于桥的晶体管的打开/闭合状态,使得在对应于访问端子的连接点的任一侧的晶体管打开,向访问端子施加所确定的电压,确定流过对应于所述访问端子的搭接的电流,如果与所述访问端子邻近的访问端子尚未被连接至地,则将此访问端子接地,以及测量另一邻近访问端子处的电压。

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