半导体集成电路隧道氧化窗口区域设计的结构及方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200310122971.5
IPC分类号：H01L27/115;H01L21/8247;H01L29/788
申请日期：
2003-12-30
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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专利名称	半导体集成电路隧道氧化窗口区域设计的结构及方法
申请号	CN200310122971.5	申请日期	2003-12-30
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2005-07-06	公开/公告号	CN1635639
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/115 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/112 只读存储器结构的〔5〕 H01L27/115 电动编程只读存储器；其多步骤制造方法〔5，2006.01，2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;7;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;8查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人	吴佳特;蔡建祥
代理机构	北京东方亿思知识产权代理有限责任公司	代理人	陈红

摘要

一种半导体集成电路隧道氧化窗口区域设计的结构及方法，该结构包括一个包括有表面区域的衬底，该表面区域位于一个第一个单元区域内；一个具有第一厚度的栅极介电层，覆盖在该衬底表面；一个选择栅极，覆盖在该栅极介电层的第一区域上；一个悬浮栅极，覆盖在该栅极介电层的第二区域上，并与该选择栅极相耦合；一个绝缘层，覆盖在悬浮栅极上；一个控制栅极，覆盖在位于该悬浮栅极之上的绝缘层上，并与该悬浮栅极耦合；一个通道窗口，位于该栅极介电层的区域内的带状结构中，该栅极介电层的该区域具有小于所述第一厚度的第二厚度。本发明简化了传统技术、提高了器件的产率和器件的密度；并与传统制程技术兼容。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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