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自对准金属硅化物的形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010105400.0
  • IPC分类号:H01L21/28;H01L21/336;H01L21/76;H01L21/768
  • 申请日期:
    2010-01-28
  • 申请人:
    无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
著录项信息
专利名称自对准金属硅化物的形成方法
申请号CN201010105400.0申请日期2010-01-28
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2011-08-03公开/公告号CN102142366A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/28IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司申请人地址
江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人无锡华润上华科技有限公司当前权利人无锡华润上华科技有限公司
发明人石永昱;王栩
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人李丽
摘要
一种自对准金属硅化物的形成方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括第一区域和第二区域,所述第一区域的半导体衬底表面至少有一硅区域;在所述第二区域形成覆盖所述半导体衬底的隔离层;采用射频溅射去除所述硅区域的自然氧化层;采用射频溅射形成覆盖所述硅区域、隔离层的金属层;采用射频溅射在所述金属层表面形成保护层;对所述半导体衬底进行退火,形成金属硅化物层;去除保护层和未反应的金属层。本发明提供的自对准金属硅化物的形成方法效率高,能耗低。

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