超大规模集成电路铜布线表面低压化学机械抛光方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010231553.X
IPC分类号：B24B37/04;H01L21/304
申请日期：
2010-07-21
申请人：
河北工业大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	超大规模集成电路铜布线表面低压化学机械抛光方法
申请号	CN201010231553.X	申请日期	2010-07-21
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2011-02-09	公开/公告号	CN101966688A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B24B37/04 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B24 磨削；抛光 B24B 用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F 3/00）；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给 B24B37/00 研磨机床或装置；附件（B24B 3/00优先） B24B37/04 适用于加工平面的〔1，2012.01〕	IPC分类号	B;2;4;B;3;7;/;0;4;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;4查看分类表>
申请人	河北工业大学	申请人地址	天津市红桥区丁字沽光荣道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津河北工业大学资产经营有限责任公司	当前权利人	天津河北工业大学资产经营有限责任公司
发明人	刘玉岭;刘效岩;田军
代理机构	天津市三利专利商标代理有限公司	代理人	刘英兰

摘要

本发明涉及一种超大规模集成电路铜布线表面低压化学机械抛光方法，实施步骤如下：（1）将以下成分按重量%均匀混合制成抛光液：纳米SiO2磨料：35～80%，去离子水：12～60%，氧化剂：1～3%，活性剂：1～4%，FA/OII型螯合剂：0.5～1.5%；（2）抛光工艺参数设定：抛光压力：2～5KPa，抛光温度：20～50℃，流量：120～250ml/min，转速：30～60rpm/min。抛光液中的氧化剂把铜氧化，FA/OII型螯合剂本身具有极强的螯合能力，与氧化的铜快速反应，生成可溶性的螯合物快速的脱离铜表面，避免主要依赖机械的摩擦作用去除表面铜，实现了在低机械强度下的铜抛光。螯合过程材料的去除以打破分子键来实现，对材料表面损伤小。且在低压下增强CMP化学作用来补偿机械作用对抛光速率的影响。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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