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基于P型硅片的太阳能电池片及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110066487.3
  • IPC分类号:H01L31/18;H01L31/06;H01L31/0224
  • 申请日期:
    2021-01-19
  • 申请人:
    苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院
著录项信息
专利名称基于P型硅片的太阳能电池片及其制备方法
申请号CN202110066487.3申请日期2021-01-19
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-04-27公开/公告号CN112713224A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4查看分类表>
申请人苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院申请人地址
江苏省苏州市常熟市沙家浜常昆工业园 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州腾晖光伏技术有限公司,常熟理工学院当前权利人苏州腾晖光伏技术有限公司,常熟理工学院
发明人张树德;魏青竹;刘玉申;况亚伟;赵保星;缪乾;符欣;连维飞;倪志春
代理机构苏州创元专利商标事务所有限公司代理人李萍
摘要
本发明公开了一种基于P型硅片的太阳能电池片及其制备方法。该基于P型硅片的太阳能电池片的制备方法,包括如下步骤在制绒后的P型硅片的绒面上印刷图形化的铝浆,烧结而在所述P型硅片上形成铝掺杂区域;去除所述P型硅片上的由铝浆烧结后形成的铝电极;在所述P型硅片的绒面上制备正面介质层;在所述正面介质层上印刷银浆,且银浆的印刷位置和所述铝掺杂区域相对应,烧结使银浆烧穿所述正面介质层而形成和所述铝掺杂区域接触的正面电极。本发明的制备方法无需经过1000℃以上的高温来进行硼扩散,不会造成P型硅片体少子寿命衰减,能够提高电池转化效率。

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