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一种具有双绝缘层的发光二极管阵列及其生产方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510095436.8
IPC分类号：H01L27/15;H01L33/00
申请日期：
2015-03-04
申请人：
扬州中科半导体照明有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种具有双绝缘层的发光二极管阵列及其生产方法
申请号	CN201510095436.8	申请日期	2015-03-04
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-06-03	公开/公告号	CN104681576A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/15 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/15 包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;5;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	扬州中科半导体照明有限公司	申请人地址	江苏省扬州市开发区临江路186号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	扬州中科半导体照明有限公司	当前权利人	扬州中科半导体照明有限公司
发明人	冯亚萍;张溢;金豫浙;李志聪;孙一军;王国宏
代理机构	扬州市锦江专利事务所	代理人	江平

摘要

一种具有双绝缘层的发光二极管阵列及其生产方法，涉及发光二极管芯片的生产技术领域。本发明以阵列将各发光单元布置在同一透明基板上，相邻的发光单元通过金属导电层使微晶粒实现串并联，大大简化了芯片模组中的固晶、键合数量，提升了封装产品良率，降低了封装成本；本发明采用在隔离深槽内设置两层透明绝缘层的方式，能够得到性能稳定、可靠性高、适合大规模量产的发光二极管阵列。

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