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一种具有集成隧穿二极管的IGBT

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010677603.0
  • IPC分类号:H01L29/739;H01L29/06
  • 申请日期:
    2020-07-14
  • 申请人:
    重庆大学
著录项信息
专利名称一种具有集成隧穿二极管的IGBT
申请号CN202010677603.0申请日期2020-07-14
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-10-23公开/公告号CN111816697A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/739
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人重庆大学申请人地址
重庆市沙坪坝区沙正街174号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人重庆大学当前权利人重庆大学
发明人李平;郭经纬;林智;胡盛东;唐枋
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明涉及一种具有集成隧穿二极管的IGBT器件,属于半导体功率器件领域。该IGBT器件包括:集电极金属、P型集电区、N型场终止层、N型漂移区、P型埋层、N型载流子存储层、P型体区、P+源区、N+源区、发射极金属、介质隔离区、栅氧化层、多晶硅栅、浮空电极、P型阱区、N+隧穿区。本发明在不降低器件击穿电压以及几乎不增加器件的工艺难度的条件下,能够通过增加N型载流子存储层的浓度来降低器件的导通压降,并且还能够降低器件的弥勒电容以及饱和电流。

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