一种氮化硅瓷片界面改性方法及覆铜陶瓷基板制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010709632.0
IPC分类号：C04B35/584;C04B35/622;C04B37/02
申请日期：
2020-07-22
申请人：
江苏富乐德半导体科技有限公司

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专利名称	一种氮化硅瓷片界面改性方法及覆铜陶瓷基板制备方法
申请号	CN202010709632.0	申请日期	2020-07-22
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-11-10	公开/公告号	CN111908924A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C04B35/584 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕 C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷（微晶玻璃陶瓷入C03C 10/00）；耐火材料（难熔金属的合金入C22C）；天然石的处理〔4〕 C04B35/00 以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物（含有不用作宏观增强剂的，粘接在碳化物、金刚石、氧化物、硼化物、氮化物、硅化物上的游离金属，例如陶瓷或其他金属化合物，例如氧氮化合物或硫化物的入C22C）；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末〔4〕 C04B35/515 以非氧化物为基料的（C04B 35/50、C04B 35/51优先）〔6〕 C04B35/58 以硼化物、氮化物或硅化物为基料的〔4，6〕 C04B35/584 以氮化硅为基料的〔6〕	IPC分类号	C;0;4;B;3;5;/;5;8;4;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;C;0;4;B;3;7;/;0;2查看分类表>
申请人	江苏富乐德半导体科技有限公司	申请人地址	江苏省盐城市东台市城东新区鸿达路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江苏富乐德半导体科技有限公司	当前权利人	江苏富乐德半导体科技有限公司
发明人	葛荘;贺贤汉;王斌;欧阳鹏;孙泉;张恩荣
代理机构	上海申浩律师事务所	代理人	赵建敏

摘要

本发明涉及一种氮化硅瓷片界面改性方法及覆铜陶瓷基板制备方法，其中氮化硅瓷片界面改性方法包括如下步骤：1)改性溶液制备：将粒径为20～20000nm的α‑氮化硅粉末与分散剂加入至溶剂中搅拌均匀，得到α‑氮化硅粉末含量为0.003～0.02g/mL的改性溶液；2)改性瓷片制备：将步骤1)中的改性溶液均匀涂覆在氮化硅瓷片上并在80～220℃条件下烘干。根据上述方法改性后的氮化硅瓷片可直接用于覆铜陶瓷基板的活性钎焊，提高了氮化硅瓷片钎焊时反应活性，进行真空烧结时，能够在瓷片与金属焊片界面层形成更致密的结构，能够提高产品的剥离强度。此外，未反应的α‑氮化硅粉末能够嵌入近瓷界面层中，降低界面层的热膨胀系数，可提高瓷片与界面层在冷热冲击条件下的结合可靠性。

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