功率器件快速退火方法和功率器件

发明专利无效专利

申请号：
CN201410328461.1
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/265
申请日期：
2014-07-10
申请人：
北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司

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著录项信息

专利名称	功率器件快速退火方法和功率器件
申请号	CN201410328461.1	申请日期	2014-07-10
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2016-02-17	公开/公告号	CN105336568A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;5查看分类表>
申请人	北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司	申请人地址	北京市海淀区成府路298号方正大厦9层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司	当前权利人	北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司
发明人	李理;马万里;赵圣哲
代理机构	北京友联知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	尚志峰;汪海屏

摘要

本发明提供了一种功率器件快速退火方法和一种功率器件，其中，所述功率器件快速退火方法，包括：在所述功率器件的第一面淀积金属层之后，在所述金属层上淀积保护层；在所述第二面进行离子注入，并对所述第二面进行热退火处理，激活注入的离子；在所述第二面淀积金属层，清除所述第一面上的保护层。本发明的技术方案通过在功率器件的第一面制作工艺完成后，在功率器件的第一面上淀积保护层，实现了在退火过程中对功率器件第一面上制作工艺的保护，提高了功率器件的性能，同时使用常规退火处理，降低了制造成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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