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半导体器件的回流装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210284359.7
  • IPC分类号:B23K3/00;B23K3/08
  • 申请日期:
    2006-03-16
  • 申请人:
    富士通半导体股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件的回流装置
申请号CN201210284359.7申请日期2006-03-16
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2012-12-19公开/公告号CN102825356A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B23K3/00IPC分类号B;2;3;K;3;/;0;0;;;B;2;3;K;3;/;0;8查看分类表>
申请人富士通半导体股份有限公司申请人地址
日本神奈川县横滨市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社索思未来当前权利人株式会社索思未来
发明人松井弘之;松木浩久;大竹幸喜
代理机构隆天知识产权代理有限公司代理人张浴月;张志杰
摘要
本发明公开一种回流装置,在该回流装置中使用蚁酸清洗处理物上的焊料电极的表面。该回流装置包括:炉,包括晶片接收区域、回流处理区域及取出区域,并具有由防护构件完全覆盖的内壁;蚁酸导入机构,安装在该回流处理区域中;惰性气体导入机构,在该炉内产生惰性气体氛围;加热器,用于蚁酸分解,充分散布在该炉的内壁与该防护构件之间;装载机,承载多个晶片至该晶片接收区域;卸载机,从该取出区域中卸出所述多个晶片;第一闸门,位于该装载机与该晶片接收区域之间;以及第二闸门,位于该取出区域与该卸载机之间。该回流装置能够实现两个或更多半导体晶片的批处理,也能够防止蚁酸对炉的腐蚀,并防止金属杂质(反应产物)飞散到晶片上。

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