采用铜互连的集成电路封装结构及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010420839.6
IPC分类号：H01L23/31;H01L23/535;H01L23/48;H01L23/50;H01L21/56
申请日期：
2020-05-18
申请人：
无锡中微高科电子有限公司;中国电子科技集团公司第五十八研究所

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著录项信息

专利名称	采用铜互连的集成电路封装结构及其制作方法
申请号	CN202010420839.6	申请日期	2020-05-18
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-08-21	公开/公告号	CN111564416A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/31 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/31 按配置特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;5;3;5;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;0;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6查看分类表>
申请人	无锡中微高科电子有限公司;中国电子科技集团公司第五十八研究所	申请人地址	江苏省无锡市新区泰山路2号国际科技合作园B楼1A-5座变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	无锡中微高科电子有限公司,中国电子科技集团公司第五十八研究所	当前权利人	无锡中微高科电子有限公司,中国电子科技集团公司第五十八研究所
发明人	李宗亚;吴新;王成迁
代理机构	无锡市大为专利商标事务所（普通合伙）	代理人	殷红梅

摘要

本申请涉及集成电路封装技术领域，具体涉及采用铜互连的集成电路封装结构及其制作方法。该封装结构包括：布线基体，所述布线基体中设有若干个间隔分布的铜互连结构；每个所述铜互连结构包括引出端和连接端，所述引出端外露于所述布线基体的下表面；集成电路芯片，所述集成电路芯片设于所述布线基体中，所述布线基体的连接端连接所述集成电路芯片的IO端，使得所述IO端和所述引出端之间通过所述铜互连结构形成电通路。采用铜互连的集成电路封装结构及其制作方法，能够解决现有技术中封装产业链分散以及可靠性较低等问题，并缩短整个封装制程的加工周期。

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