由旋涂上的陶瓷薄膜组成的构图层

发明专利有效专利

申请号：
CN200480002867.5
IPC分类号：G03F1/00;G03F1/14;H01L21/00
申请日期：
2004-01-26
申请人：
国际商业机器公司

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著录项信息

专利名称	由旋涂上的陶瓷薄膜组成的构图层
申请号	CN200480002867.5	申请日期	2004-01-26
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2006-03-01	公开/公告号	CN1742231
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F1/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F1/00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备〔3，2012.01〕	IPC分类号	G;0;3;F;1;/;0;0;;;G;0;3;F;1;/;1;4;;;H;0;1;L;2;1;/;0;0查看分类表>
申请人	国际商业机器公司	申请人地址	美国纽约变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	格芯公司,格芯美国第二有限责任公司	当前权利人	格芯公司,格芯美国第二有限责任公司
发明人	S·M·盖茨;J·C·赫德里克;E·E·黄;D·普菲弗
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	刘明海

摘要

本发明包括一种形成硬掩模的方法，包括以下步骤：使聚合物预陶瓷前体薄膜沉积在基材的顶上；将聚合物预陶瓷前体薄膜转化成至少一个陶瓷层，其中陶瓷层的组成为SivNwCxOyHz，其中0.1≤v≤0.9，0≤w≤0.5，0.05≤x≤0.9，0≤y≤0.5，0.05≤z≤0.8，v+w+x+y+z＝1；在陶瓷层的顶上形成已构图的光致抗蚀层；对陶瓷层构图，以将衬底基材的区域曝光，其中衬底基材的剩余区域被已构图的陶瓷层保护；并且将衬底基材的曝光区域蚀刻。本发明的另一个方面是掩埋的蚀刻停止层，其具有组成SivNwCxOyHz，其中0.05＜v＜0.8，0＜w＜0.9，0.05＜x＜0.8，0＜y＜0.8，0.05＜z＜0.8，v+w+x+y+z＝1。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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